Samsung: 1-TB-eUFS-Chip für Highend-Smartphones

Der 1-TB-Flash-Speicher von Samsung
Samsung Die vermeintliche Premium-Ausgabe des Galaxy S10+ dürfte tatsächlich der Realität entsprechen, was sich von einer verdächtigen Samsung-Pressemitteilung ableiten lässt. Wie wir bereits berichteten, soll das Galaxy S10+ Premium mit 1 TB Flash aufwarten – und genau einen solchen Speicher-Chip stellte der Konzern jetzt offiziell vor. Explizit für mobile Endgeräte entwickelt, gibt es jetzt den weltweit ersten ein Terabyte umfassenden Embedded Universal Flash Storage, kurz eUFS. Im Vergleich zur Ende 2017 vorgestellten 512-GB-Ausgabe haben sich zudem die Lese- und Schreibgeschwindigkeit gesteigert.

Samsung lässt die Speicher-Muskeln spielen

Der 1-TB-Flash-Speicher von Samsung
Samsung Die fünfte Generation von Samsungs V-NAND-Chips überträgt Daten auf Smartphones in hoher Geschwindigkeit. Als branchenweite Neuheit kündigt Samsung das Flash-Modul an, das aller Voraussicht nach im Galaxy S10+ Premium Verwendung finden wird. Der 1-TB-Speicher soll um den Faktor zehn schneller arbeiten als eine typische microSD-Karte. Laut Hersteller wird damit eine „Notebook-artige Erfahrung zur nächsten Generation von Mobilgeräten“ gebracht. Interessant ist auch das folgende Statement: „Samsung ist bestrebt, die zuverlässigste Lieferkette und angemessene Produktionsmengen für die rechtzeitige Markteinführung von Flaggschiff-Smartphones zu gewährleisten, um das Wachstum des Mobilfunkmarktes zu beschleunigen.“ Ein solches Oberklassemodell wird der südkoreanische Hersteller sicherlich selbst herausbringen. Die Paketgröße des Chips bleibt übrigens unverändert bei 11,5 mal 13 mm. Insgesamt 16 Schichten von Samsungs 512-Gigabit-V-NAND-Speicher führen letztendlich zur Kapazität von 1024 GB.

Samsung listet die Vorteile des neuen Chips auf

Mit einem satten Terabyte an Datenplatz können die Anwender den Angaben zufolge 260 zehnminütige Videos in 4K-Qualität auf dem Smartphone speichern. Eine 5 GB umfassende Videodatei in Full-HD-Auflösung soll sich in nur fünf Sekunden auf eine an das Endgerät angeschlossene NVMe SSD übertragen lassen. Die Werte für die Ein- und Ausgaben pro Sekunde (IPOPS) der ungeordneten Lesegeschwindigkeit (Random Read Speed) haben sich auf 58 000 gesteigert. Samsung merkt an, dass das einer Steigerung von 38 Prozent im Vergleich zum 512-GB-Chip entspricht. Die hohe Random-Schreibgeschwindigkeit von 50 000 IOPS soll ihrerseits die Leistungsfähigkeit von 960-fps-Videos und Multi-Kamera-Setups verbessern.