Samsung mit Gigabit-DRAM für Mobilgeräte

Der koreanische Elektronikkonzern Samsung hat einen Gigabit-DRAM-Chip für mobile Geräte entwickelt, der gegenüber den gegenwärtig verbreiteten Gigabit-Chips, die aus zwei per Stack-Technik zusammengesetzten 512-Megabit-Chips bestehen, deutlich energiesparender und flacher sein soll. Die in 80-nm-Technik hergestellten monolithischen Chips würden zwar die selbe Packaging-Technik wie die 512-Megabit-Chips nutzen, seien jedoch mit einer neuen Funktion der Temperatur-Abtastung ausgestattet, die im Standby-Modus bis zu 30 Prozent weniger Energie verbrauchen und somit die Akku-Laufzeiten deutlich verbessern soll. Die neuen Gigabit-Chips seien zudem etwa 20 Prozent flacher als bisherige Modelle und würden sich somit auch für Multi-Stack-Pakete beispielsweise für 2-Gigabit mobilem DRAM oder Multi-Chip-Pakete von Gigabit-DRAM kombiniert mit Flash-Speicher eignen.

Samsung hat die Massenproduktion der neuen Gigabit-DRAM-Chips für das zweite Quartal des kommenden Jahres angekündigt. Das Unternehmen erwarte für 2007 eine gesteigerte Nachfrage nach mobilem Gigabit-DRAM. Die neuen Chips sollen in Mobiltelefonen und Digital-Kameras sowie in portablen Media-Playern und Gaming-Produkten eingesetzt werden.